Keystone Electronics - 8610

KEY Part #: K7359536

8610 Цены (доллары США) [217491шт сток]

  • 1 pcs$0.19775
  • 10 pcs$0.17481
  • 50 pcs$0.12735
  • 100 pcs$0.12233
  • 250 pcs$0.10985
  • 1,000 pcs$0.08738
  • 2,500 pcs$0.07989
  • 5,000 pcs$0.07490

номер части:
8610
производитель:
Keystone Electronics
Подробное описание:
PLUG HOLE NYLON 1.375 DIA. Lamps 6.3V 4mm Round T1.25 Wire Terminals
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Застегиваемые Застежки, Структурное, аппаратное обеспечение движения, Шайбы - Втулка, Плечо, Подшипники, аксессуары, Канал DIN-рейки, Винтовые втулки and Заглушки ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Keystone Electronics 8610 electronic components. 8610 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 8610, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

8610 Атрибуты продукта

номер части : 8610
производитель : Keystone Electronics
Описание : PLUG HOLE NYLON 1.375 DIA
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип : Body Plug
цвет : Black
материал : Nylon
Диаметр отверстия : 1.375" (34.93mm)
Диаметр фланца : 1.500" (38.10mm) 1 1/2"
Толщина панели : 0.125" (3.18mm) 1/8"

Вы также можете быть заинтересованы в
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.