Infineon Technologies - 2N7002H6327XTSA2

KEY Part #: K6417546

2N7002H6327XTSA2 Цены (доллары США) [1569940шт сток]

  • 1 pcs$0.02356
  • 3,000 pcs$0.01501

номер части:
2N7002H6327XTSA2
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT23.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - ТРИАКС and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies 2N7002H6327XTSA2 electronic components. 2N7002H6327XTSA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2N7002H6327XTSA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2N7002H6327XTSA2 Атрибуты продукта

номер части : 2N7002H6327XTSA2
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT23
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 300mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 0.6nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 20pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 500mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-23-3
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в