Rohm Semiconductor - TT8U1TR

KEY Part #: K6404868

TT8U1TR Цены (доллары США) [358318шт сток]

  • 1 pcs$0.11412
  • 3,000 pcs$0.11355

номер части:
TT8U1TR
производитель:
Rohm Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Rohm Semiconductor TT8U1TR electronic components. TT8U1TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TT8U1TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TT8U1TR Атрибуты продукта

номер части : TT8U1TR
производитель : Rohm Semiconductor
Описание : MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2.4A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 6.7nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 850pF @ 10V
Функция FET : Schottky Diode (Isolated)
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.25W (Ta)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-TSST
Пакет / Дело : 8-SMD, Flat Lead

Вы также можете быть заинтересованы в