MSE1PB-M3/89A Цены (доллары США) [1344083шт сток]
- 1 pcs$0.02752
- 4,500 pcs$0.02627
- 9,000 pcs$0.02284
- 13,500 pcs$0.01942
- 31,500 pcs$0.01827
- 112,500 pcs$0.01523
- номер части:
- MSE1PB-M3/89A
- производитель:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 100V 1A MICROSMP. Rectifiers 1.0 Amp 100 Volt 20 Amp IFSM
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Модули питания драйверов, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - мостовые выпрямители and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division MSE1PB-M3/89A electronic components. MSE1PB-M3/89A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MSE1PB-M3/89A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MSE1PB-M3/89A Атрибуты продукта
номер части :
MSE1PB-M3/89A
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
DIODE GEN PURP 100V 1A MICROSMP
Серии :
eSMP®
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
100V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.1V @ 1A
скорость :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
780ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
1µA @ 100V
Емкость @ Vr, F :
5pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
MicroSMP
Комплект поставки устройства :
MicroSMP (DO-219AD)
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 175°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
-
FFD08S60S-F085
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers 8A, 600V Stealth II Rectifier
-
BAS16
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching SOT23 215mA 75V 4ns
-
VS-8EVH06HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK. Rectifiers 600V 8A SlimDPAK FRED
-
-
Горячие части
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A