Infineon Technologies - IPD90N04S403ATMA1

KEY Part #: K6420255

IPD90N04S403ATMA1 Цены (доллары США) [174857шт сток]

  • 1 pcs$0.21153
  • 2,500 pcs$0.19411

номер части:
IPD90N04S403ATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - Выпрямители - Массивы and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPD90N04S403ATMA1 electronic components. IPD90N04S403ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD90N04S403ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD90N04S403ATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPD90N04S403ATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
Серии : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 90A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 53µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 66.8nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5260pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 94W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO252-3-313
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в