Microsemi Corporation - 1N6663US

KEY Part #: K6427629

1N6663US Цены (доллары США) [4091шт сток]

1 pcs$11.02191
10 pcs$10.19677
25 pcs$9.36978
100 pcs$8.70842
250 pcs$7.60204

номер части:: 1N6663US

производитель:: Microsemi Corporation

Подробное описание:: DIODE GEN PURP 600V 500MA D5A. Rectifiers Rectifier

Стандартное время изготовления производителя:: В наличии

Срок годности:: Один год

Чип от:: Гонконг

RoHS:

Способ оплаты:

Способ отгрузки:

Семейные Категории:: KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - JFETs, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...

Конкурентное преимущество:: We specialize in Microsemi Corporation 1N6663US electronic components. 1N6663US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6663US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

1N6663US Атрибуты продукта

номер части : 1N6663US

производитель : Microsemi Corporation

Описание : DIODE GEN PURP 600V 500MA D5A

Серии : -

Состояние детали : Active

Диодный Тип : Standard

Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V

Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 500mA (DC)

Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1V @ 400mA

скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Обратное время восстановления (trr) : -

Ток - обратная утечка @ Vr : 50nA @ 600V

Емкость @ Vr, F : -

Тип монтажа : Surface Mount

Пакет / Дело : SQ-MELF, A

Комплект поставки устройства : D-5A

Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Последние новости

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters

Вы также можете быть заинтересованы в

GP2D008A120C

Global Power Technologies Group

DIODE SCHTKY 1.2KV 24A TO252-2L.
V35PWM12HM3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 120V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers If(AV) 35A Vrrm 120V TMBS eSMP Trench MOS
V35PWM45-M3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 45V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)
V20PWM60HM3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 60V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified
V35PW60HM3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 60V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 35A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified
V35PW60-M3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 60V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

English русский