номер части :
APTGLQ200H65G
производитель :
Microsemi Corporation
Описание :
POWER MODULE - IGBT
Состояние детали :
Active
Тип IGBT :
Trench Field Stop
конфигурация :
Full Bridge
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) :
650V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) :
270A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic :
2.3V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.) :
75µA
Входная емкость (Cies) @ Vce :
12.2nF @ 25V
Рабочая Температура :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа :
Chassis Mount
Комплект поставки устройства :
SP6