номер части :
BSM50GB120DN2HOSA1
производитель :
Infineon Technologies
Описание :
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Состояние детали :
Not For New Designs
конфигурация :
Half Bridge
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) :
1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) :
78A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic :
3V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.) :
1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce :
3.3nF @ 25V
Рабочая Температура :
150°C (TJ)
Тип монтажа :
Chassis Mount
Комплект поставки устройства :
Module