Microchip Technology - TN2130K1-G

KEY Part #: K6392685

TN2130K1-G Цены (доллары США) [189161шт сток]

  • 1 pcs$0.20033
  • 3,000 pcs$0.19933

номер части:
TN2130K1-G
производитель:
Microchip Technology
Подробное описание:
MOSFET N-CH 300V 0.085A SOT23-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microchip Technology TN2130K1-G electronic components. TN2130K1-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TN2130K1-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TN2130K1-G Атрибуты продукта

номер части : TN2130K1-G
производитель : Microchip Technology
Описание : MOSFET N-CH 300V 0.085A SOT23-3
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 300V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 85mA (Tj)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 Ohm @ 120mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 50pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 360mW (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-236AB (SOT23)
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Вы также можете быть заинтересованы в