Vishay Semiconductor Diodes Division - V8PAM12-M3/I

KEY Part #: K6428349

V8PAM12-M3/I Цены (доллары США) [556674шт сток]

  • 1 pcs$0.06644

номер части:
V8PAM12-M3/I
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE SCHOTTKY 120V 8A DO221BC. Schottky Diodes & Rectifiers If 8A Vrrm 120V Ifsm 100A
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division V8PAM12-M3/I electronic components. V8PAM12-M3/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for V8PAM12-M3/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

V8PAM12-M3/I Атрибуты продукта

номер части : V8PAM12-M3/I
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE SCHOTTKY 120V 8A DO221BC
Серии : eSMP®, TMBS®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 120V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 8A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 880mV @ 8A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : -
Ток - обратная утечка @ Vr : 500µA @ 120V
Емкость @ Vr, F : 730pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Комплект поставки устройства : DO-221BC (SMPA)
Рабочая температура - соединение : -40°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-3EJH02HM3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 3A 200V Fred Pt Rfr AEC-Q101

  • VS-3EJH01HM3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 3A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 3A 100V Fred Pt Rfr AEC-Q101

  • S1AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO221AC. Rectifiers 1A, 400V, SLIM SMA, STD GPP, SM RECT

  • S1AFK-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO221AC. Rectifiers 1A, 800V, SLIM SMA, STD GPP, SM RECT

  • VS-2EJH02HM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 200V Fred Pt Rfr AEC-Q101

  • VS-3EJH01HM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 3A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 3A 100V Fred Pt Rfr AEC-Q101