ON Semiconductor - NVMFS6H824NT1G

KEY Part #: K6397180

NVMFS6H824NT1G Цены (доллары США) [128147шт сток]

  • 1 pcs$0.28863

номер части:
NVMFS6H824NT1G
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
T8 80V SO8FL NCH STD GATE.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - СКВ, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor NVMFS6H824NT1G electronic components. NVMFS6H824NT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFS6H824NT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS6H824NT1G Атрибуты продукта

номер части : NVMFS6H824NT1G
производитель : ON Semiconductor
Описание : T8 80V SO8FL NCH STD GATE
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 80V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 19A (Ta), 103A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 140µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2470pF @ 40V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.8W (Ta), 115W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Пакет / Дело : 8-PowerTDFN, 5 Leads

Вы также можете быть заинтересованы в
  • AUIRFR024N

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • TK56A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 56A TO-220.

  • FDN339AN

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3.

  • NTBS2D7N06M7

    ON Semiconductor

    NMOS D2PAK 60V 2.7 MOHM.

  • SIHA17N80E-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CHANNEL 800V 15A TO220.

  • STWA65N60DM6

    STMicroelectronics

    N-CHANNEL 600 V 0.084 OHM TYP..