Infineon Technologies - BSM50GD120DN2BOSA1

KEY Part #: K6534428

BSM50GD120DN2BOSA1 Цены (доллары США) [695шт сток]

  • 1 pcs$66.82368

номер части:
BSM50GD120DN2BOSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - IGBT - Single and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BSM50GD120DN2BOSA1 electronic components. BSM50GD120DN2BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM50GD120DN2BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM50GD120DN2BOSA1 Атрибуты продукта

номер части : BSM50GD120DN2BOSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Серии : -
Состояние детали : Not For New Designs
Тип IGBT : -
конфигурация : Full Bridge
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 72A
Мощность - Макс : 350W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 3V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 3.3nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • STGE50NB60HD

    STMicroelectronics

    IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP.