Infineon Technologies - F1235R12KT4GBOSA1

KEY Part #: K6534747

[399шт сток]


    номер части:
    F1235R12KT4GBOSA1
    производитель:
    Infineon Technologies
    Подробное описание:
    IGBT F1235R12KT4GBOSA1.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы специального назначения, Модули питания драйверов and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Infineon Technologies F1235R12KT4GBOSA1 electronic components. F1235R12KT4GBOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for F1235R12KT4GBOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    F1235R12KT4GBOSA1 Атрибуты продукта

    номер части : F1235R12KT4GBOSA1
    производитель : Infineon Technologies
    Описание : IGBT F1235R12KT4GBOSA1
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Тип IGBT : Trench Field Stop
    конфигурация : Single
    Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
    Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 35A
    Мощность - Макс : 210W
    Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 35A
    Ток - отсечка коллектора (макс.) : 1mA
    Входная емкость (Cies) @ Vce : 2nF @ 25V
    вход : Standard
    NTC Термистор : No
    Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Chassis Mount
    Пакет / Дело : Module
    Комплект поставки устройства : Module

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • VS-VSKH91/12

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      MODULE THYRISTOR 95A ADD-A-PAK.

    • VS-CPV364M4UPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

    • VS-CPV363M4UPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

    • VS-CPV362M4KPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

    • VS-CPV362M4UPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

    • VS-CPV363M4FPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.