Panasonic Electronic Components - EXB-24AT3AR3X

KEY Part #: K7359533

EXB-24AT3AR3X Цены (доллары США) [1824451шт сток]

  • 1 pcs$0.02480
  • 10,000 pcs$0.02468
  • 30,000 pcs$0.02314
  • 50,000 pcs$0.02051
  • 100,000 pcs$0.02005

номер части:
EXB-24AT3AR3X
производитель:
Panasonic Electronic Components
Подробное описание:
RF ATTENUATOR 3DB 50OHM 0404.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Комплекты для оценки и разработки RFID, платы, RF Front End (LNA + PA), Комплекты для оценки и развития РФ, платы, РЧ делители / сплиттеры, РЧ щиты, РЧ-усилители, РЧ переключатели and RFID антенны ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Panasonic Electronic Components EXB-24AT3AR3X electronic components. EXB-24AT3AR3X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EXB-24AT3AR3X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EXB-24AT3AR3X Атрибуты продукта

номер части : EXB-24AT3AR3X
производитель : Panasonic Electronic Components
Описание : RF ATTENUATOR 3DB 50OHM 0404
Серии : -
Состояние детали : Active
Значение затухания : 3dB
Диапазон частот : 0Hz ~ 3GHz
Мощность (Вт) : 40mW
полное сопротивление : 50 Ohms
Пакет / Дело : 0404 (1010 Metric), Concave

Вы также можете быть заинтересованы в
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.