Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Главная
  2. Продукты
  3. Дискретные полупроводниковые изделия
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис
  5. APTM120H29FG

Microsemi Corporation - APTM120H29FG

KEY Part #: K6522643

APTM120H29FG Цены (доллары США) [414шт сток]

  • 1 pcs$147.39494
  • 10 pcs$140.27951
  • 25 pcs$135.19703
номер части:
APTM120H29FG
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - РФ, Транзисторы - Программируемый однопереход and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APTM120H29FG electronic components. APTM120H29FG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM120H29FG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM120H29FG Атрибуты продукта

номер части : APTM120H29FG
производитель : Microsemi Corporation
Описание : MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
Серии : POWER MOS 7®
Состояние детали : Active
Тип FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
Функция FET : Standard
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 34A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 348 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 374nC @ 10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 10300pF @ 25V
Мощность - Макс : 780W
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : SP6
Комплект поставки устройства : SP6

Последние новости

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Вы также можете быть заинтересованы в
  • FDG6332C-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 20V SC70-6.

  • FDG8842CZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6.

  • FDG6308P

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6.

  • FDG6317NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6.

  • FDG8850NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC70-6.

  • FDG6320C

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 25V SC70-6.

Горячие части