IXYS - IXTP1R4N100P

KEY Part #: K6394833

IXTP1R4N100P Цены (доллары США) [49877шт сток]

  • 1 pcs$0.90601
  • 50 pcs$0.90151

номер части:
IXTP1R4N100P
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - JFETs, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - одинарные and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTP1R4N100P electronic components. IXTP1R4N100P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP1R4N100P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP1R4N100P Атрибуты продукта

номер части : IXTP1R4N100P
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220
Серии : Polar™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 1000V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 1.4A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 17.8nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 450pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 63W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в