Texas Instruments - CSD13306WT

KEY Part #: K6400691

CSD13306WT Цены (доллары США) [259492шт сток]

  • 1 pcs$0.14254
  • 250 pcs$0.12102
  • 1,250 pcs$0.07530

номер части:
CSD13306WT
производитель:
Texas Instruments
Подробное описание:
MOSFET N-CH 12V 6DSBGA.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - СКВ and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Texas Instruments CSD13306WT electronic components. CSD13306WT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD13306WT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD13306WT Атрибуты продукта

номер части : CSD13306WT
производитель : Texas Instruments
Описание : MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
Серии : NexFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 12V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 3.5A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 11.2nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1370pF @ 6V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.9W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 6-DSBGA (1x1.5)
Пакет / Дело : 6-UFBGA, DSBGA

Вы также можете быть заинтересованы в