Harwin Inc. - S0991-46R

KEY Part #: K7359507

S0991-46R Цены (доллары США) [921392шт сток]

  • 1 pcs$0.04034
  • 15,000 pcs$0.04014
  • 30,000 pcs$0.03682
  • 75,000 pcs$0.03544
  • 105,000 pcs$0.03405

номер части:
S0991-46R
производитель:
Harwin Inc.
Подробное описание:
RFI SHIELD CLIP MICRO TIN SMD. Specialized Cables SMT MICRO SHLD CLIP .20 - .25MM, TIN T&R
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: РЧ приемопередающие модули, РЧ приемники, RFI и EMI - контакты, пальцы и прокладки, РФ демодуляторы, балун, Микросхемы и модули РФ, РФ антенны and РЧ переключатели ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Harwin Inc. S0991-46R electronic components. S0991-46R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S0991-46R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S0991-46R Атрибуты продукта

номер части : S0991-46R
производитель : Harwin Inc.
Описание : RFI SHIELD CLIP MICRO TIN SMD
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип : Shield Clip
форма : -
ширина : 0.035" (0.90mm)
длина : 0.256" (6.50mm)
Рост : 0.054" (1.37mm)
материал : Stainless Steel
золочение : Tin
Покрытие - толщина : 118.11µin (3.00µm)
Метод крепления : Solder
Рабочая Температура : -25°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.