Microsemi Corporation - 1N5806US

KEY Part #: K6441669

1N5806US Цены (доллары США) [10333шт сток]

  • 1 pcs$4.22191
  • 10 pcs$3.80016
  • 25 pcs$3.46249
  • 100 pcs$3.12461
  • 250 pcs$2.87127
  • 500 pcs$2.61793

номер части:
1N5806US
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 150V 1A D5A. Rectifiers D MET 2.5A SFST 150V SRFC MNT
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - мостовые выпрямители, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation 1N5806US electronic components. 1N5806US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5806US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5806US Атрибуты продукта

номер части : 1N5806US
производитель : Microsemi Corporation
Описание : DIODE GEN PURP 150V 1A D5A
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 150V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 875mV @ 1A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 25ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 1µA @ 150V
Емкость @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SQ-MELF, A
Комплект поставки устройства : D-5A
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CDBDSC10650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V

  • CDBDSC5650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V

  • VS-8EWS10STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-8EWS10STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-60APU02-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 200V Single Die 3 pins

  • VSB20L45-M3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A P600.