ON Semiconductor - FQD16N25CTM

KEY Part #: K6392654

FQD16N25CTM Цены (доллары США) [185139шт сток]

  • 1 pcs$0.19978
  • 2,500 pcs$0.18534

номер части:
FQD16N25CTM
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 250V 16A D-PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы специального назначения, Диоды - РФ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - СКВ, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FQD16N25CTM electronic components. FQD16N25CTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD16N25CTM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQD16N25CTM Атрибуты продукта

номер части : FQD16N25CTM
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 250V 16A D-PAK
Серии : QFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 250V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 16A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 270 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 53.5nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1080pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 160W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D-Pak
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в