Vishay Semiconductor Diodes Division - UG12JT-E3/45

KEY Part #: K6441280

UG12JT-E3/45 Цены (доллары США) [51954шт сток]

  • 1 pcs$0.73167
  • 10 pcs$0.65684
  • 25 pcs$0.61979
  • 100 pcs$0.52806
  • 250 pcs$0.49582
  • 500 pcs$0.43384
  • 1,000 pcs$0.34004
  • 2,500 pcs$0.31658
  • 5,000 pcs$0.31267

номер части:
UG12JT-E3/45
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - мостовые выпрямители, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - IGBT - Модули and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UG12JT-E3/45 electronic components. UG12JT-E3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UG12JT-E3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UG12JT-E3/45 Атрибуты продукта

номер части : UG12JT-E3/45
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC
Серии : -
Состояние детали : Obsolete
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 12A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.75V @ 12A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 50ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 30µA @ 600V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-220-2
Комплект поставки устройства : TO-220AC
Рабочая температура - соединение : 150°C (Max)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-HFA04SD60S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4A 600V Ultrafast 17ns HEXFRED

  • VS-EPH3006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • VS-E4PU6006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • SFA808G C0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC. Rectifiers 35ns8A 600V Sp Fst Recov Rectifier

  • STTH3010PI

    STMicroelectronics

    DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I. Diodes - General Purpose, Power, Switching high voltage diode

  • FERD30SM100ST

    STMicroelectronics

    DIODE RECT 100V 30A TO220AB. Rectifiers Field Effect Rectifier