Infineon Technologies - BSP299H6327XUSA1

KEY Part #: K6416807

BSP299H6327XUSA1 Цены (доллары США) [140209шт сток]

  • 1 pcs$0.26380
  • 1,000 pcs$0.20158

номер части:
BSP299H6327XUSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BSP299H6327XUSA1 electronic components. BSP299H6327XUSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP299H6327XUSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSP299H6327XUSA1 Атрибуты продукта

номер части : BSP299H6327XUSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223
Серии : SIPMOS®
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 500V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 400mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 400pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.8W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-SOT223-4
Пакет / Дело : TO-261-4, TO-261AA

Вы также можете быть заинтересованы в
  • 2N7000BU

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • ZVN4424A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3.

  • 2N7000-D26Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • FDD6N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK.

  • FQD3N60CTM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK.

  • IRLR7833

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 140A DPAK.