Vishay Siliconix - SIHP22N65E-GE3

KEY Part #: K6399658

SIHP22N65E-GE3 Цены (доллары США) [17711шт сток]

  • 1 pcs$2.25198
  • 10 pcs$2.01180
  • 100 pcs$1.64967
  • 500 pcs$1.33583
  • 1,000 pcs$1.06883

номер части:
SIHP22N65E-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 22A TO-220AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIHP22N65E-GE3 electronic components. SIHP22N65E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHP22N65E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHP22N65E-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIHP22N65E-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 650V 22A TO-220AB
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 22A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2415pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 227W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TP0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3.

  • VN2406L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • VN2224N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 540MA TO92-3.

  • TK1K2A60F,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-.

  • IRFI510GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220FP.

  • R8008ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM.