Diodes Incorporated - DMG4468LK3-13

KEY Part #: K6395077

DMG4468LK3-13 Цены (доллары США) [392747шт сток]

  • 1 pcs$0.09418
  • 2,500 pcs$0.08429

номер части:
DMG4468LK3-13
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - РФ, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBT - Модули and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMG4468LK3-13 electronic components. DMG4468LK3-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG4468LK3-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG4468LK3-13 Атрибуты продукта

номер части : DMG4468LK3-13
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 9.7A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.95V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 18.85nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 867pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.68W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-252-3
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63