Toshiba Semiconductor and Storage - CMH05A(TE12L,Q,M)

KEY Part #: K6445559

CMH05A(TE12L,Q,M) Цены (доллары США) [2066шт сток]

  • 3,000 pcs$0.12525

номер части:
CMH05A(TE12L,Q,M)
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 400V 1A MFLAT.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы специального назначения, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage CMH05A(TE12L,Q,M) electronic components. CMH05A(TE12L,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CMH05A(TE12L,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CMH05A(TE12L,Q,M) Атрибуты продукта

номер части : CMH05A(TE12L,Q,M)
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : DIODE GEN PURP 400V 1A MFLAT
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 400V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.8V @ 1A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 35ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 400V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SOD-128
Комплект поставки устройства : M-FLAT (2.4x3.8)
Рабочая температура - соединение : -40°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • VS-20ETF04FPPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.