Infineon Technologies - IPD105N03LGATMA1

KEY Part #: K6408496

[607шт сток]


    номер части:
    IPD105N03LGATMA1
    производитель:
    Infineon Technologies
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - ТРИАКС and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Infineon Technologies IPD105N03LGATMA1 electronic components. IPD105N03LGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD105N03LGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPD105N03LGATMA1 Атрибуты продукта

    номер части : IPD105N03LGATMA1
    производитель : Infineon Technologies
    Описание : MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
    Серии : OptiMOS™
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 35A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.5 mOhm @ 30A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 14nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1500pF @ 15V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 38W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : PG-TO252-3
    Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • TP0610KL-TR1-E3

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-3.

    • FDD6N50FTF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK.

    • 2SK3068(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 500V 12A TO220SM.

    • 2SK2993(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 250V 20A TO220SM.

    • RDX120N50FU6

      Rohm Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 12A TO-220FM.

    • RDX100N60FU6

      Rohm Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM.