IXYS - IXBX50N360HV

KEY Part #: K6421978

IXBX50N360HV Цены (доллары США) [1614шт сток]

  • 1 pcs$28.09451
  • 10 pcs$26.27328
  • 25 pcs$24.29916
  • 100 pcs$22.78046

номер части:
IXBX50N360HV
производитель:
IXYS
Подробное описание:
IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUS.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Модули питания драйверов, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXBX50N360HV electronic components. IXBX50N360HV can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXBX50N360HV, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXBX50N360HV Атрибуты продукта

номер части : IXBX50N360HV
производитель : IXYS
Описание : IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUS
Серии : BIMOSFET™
Состояние детали : Active
Тип IGBT : -
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 3600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 125A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : 420A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.9V @ 15V, 50A
Мощность - Макс : 660W
Энергия переключения : -
Тип ввода : Standard
Gate Charge : 210nC
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : 46ns/205ns
Условия испытаний : 960V, 50A, 5 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : 1.7µs
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-247-3 Variant
Комплект поставки устройства : TO-247PLUS-HV

Вы также можете быть заинтересованы в