Infineon Technologies - IPB90N06S404ATMA2

KEY Part #: K6419062

IPB90N06S404ATMA2 Цены (доллары США) [89504шт сток]

  • 1 pcs$0.43686
  • 1,000 pcs$0.40085

номер части:
IPB90N06S404ATMA2
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - JFETs and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPB90N06S404ATMA2 electronic components. IPB90N06S404ATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB90N06S404ATMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB90N06S404ATMA2 Атрибуты продукта

номер части : IPB90N06S404ATMA2
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Серии : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 90A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 128nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 10400pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 150W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D²PAK (TO-263AB)
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в