Diodes Incorporated - DMT10H010LSS-13

KEY Part #: K6394228

DMT10H010LSS-13 Цены (доллары США) [132710шт сток]

  • 1 pcs$0.27871
  • 2,500 pcs$0.24667

номер части:
DMT10H010LSS-13
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V SO-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMT10H010LSS-13 electronic components. DMT10H010LSS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT10H010LSS-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT10H010LSS-13 Атрибуты продукта

номер части : DMT10H010LSS-13
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET N-CH 100V SO-8
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 11.5A (Ta), 29.5A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 71nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3000pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.4W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-SO
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVP4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4206ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • ZVP0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.

  • ZVN4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3.

  • ZVN4210ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

  • DMN3020UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 30V 15A 8-TSSOP.