Infineon Technologies - IPD60R600E6ATMA1

KEY Part #: K6420001

IPD60R600E6ATMA1 Цены (доллары США) [150876шт сток]

  • 1 pcs$0.24515
  • 2,500 pcs$0.23931

номер части:
IPD60R600E6ATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - РФ, Транзисторы - Программируемый однопереход and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPD60R600E6ATMA1 electronic components. IPD60R600E6ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD60R600E6ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD60R600E6ATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPD60R600E6ATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
Серии : CoolMOS™ E6
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 7.3A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 20.5nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 440pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 63W (Tc)
Рабочая Температура : -
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-252
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в