ON Semiconductor - FDD18N20LZ

KEY Part #: K6393078

FDD18N20LZ Цены (доллары США) [118858шт сток]

  • 1 pcs$0.31119
  • 2,500 pcs$0.29718

номер части:
FDD18N20LZ
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 200V DPAK-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы специального назначения and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDD18N20LZ electronic components. FDD18N20LZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD18N20LZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD18N20LZ Атрибуты продукта

номер части : FDD18N20LZ
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 200V DPAK-3
Серии : UniFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 16A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1575pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 89W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D-Pak
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в