Infineon Technologies - IRLR7843PBF

KEY Part #: K6393056

IRLR7843PBF Цены (доллары США) [52836шт сток]

  • 1 pcs$0.64806
  • 10 pcs$0.57489
  • 100 pcs$0.45431
  • 500 pcs$0.33328
  • 1,000 pcs$0.26312

номер части:
IRLR7843PBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - мостовые выпрямители and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRLR7843PBF electronic components. IRLR7843PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR7843PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLR7843PBF Атрибуты продукта

номер части : IRLR7843PBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Discontinued at Digi-Key
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 161A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 50nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4380pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 140W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D-Pak
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в