Harwin Inc. - S7121-42R

KEY Part #: K7359499

S7121-42R Цены (доллары США) [861948шт сток]

  • 1 pcs$0.04313
  • 5,000 pcs$0.04291
  • 10,000 pcs$0.04014
  • 25,000 pcs$0.03682
  • 50,000 pcs$0.03544

номер части:
S7121-42R
производитель:
Harwin Inc.
Подробное описание:
RFI SHIELD FINGER AU 1.7MM SMD. Specialized Cables EZ BDWR, SHIELD FINGER 1.7MM HIGH
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: РЧ приемопередающие модули, РЧ-детекторы, РЧ щиты, Направленного ответвителя РФ, RF Front End (LNA + PA), РЧ Смесители, балун and Аттенюаторы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Harwin Inc. S7121-42R electronic components. S7121-42R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S7121-42R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S7121-42R Атрибуты продукта

номер части : S7121-42R
производитель : Harwin Inc.
Описание : RFI SHIELD FINGER AU 1.7MM SMD
Серии : EZ BoardWare
Состояние детали : Active
Тип : Shield Finger
форма : -
ширина : 0.059" (1.50mm)
длина : 0.106" (2.70mm)
Рост : 0.067" (1.70mm)
материал : Copper Alloy
золочение : Gold
Покрытие - толщина : Flash
Метод крепления : Solder
Рабочая Температура : -55°C ~ 125°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.