STMicroelectronics - STP10N62K3

KEY Part #: K6399368

STP10N62K3 Цены (доллары США) [38327шт сток]

  • 1 pcs$1.02016
  • 10 pcs$0.92066
  • 100 pcs$0.73987
  • 500 pcs$0.57546

номер части:
STP10N62K3
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STP10N62K3 electronic components. STP10N62K3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP10N62K3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP10N62K3 Атрибуты продукта

номер части : STP10N62K3
производитель : STMicroelectronics
Описание : MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220
Серии : SuperMESH3™
Состояние детали : Obsolete
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 620V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 8.4A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1250pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 125W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • IXTY1R6N50D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK.

  • IXTY1R6N100D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.