Vishay Siliconix - SQM120P04-04L_GE3

KEY Part #: K6417972

SQM120P04-04L_GE3 Цены (доллары США) [47232шт сток]

  • 1 pcs$0.82784
  • 800 pcs$0.74505

номер части:
SQM120P04-04L_GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CH 40V 120A TO-263.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - стабилитроны - одинарные and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SQM120P04-04L_GE3 electronic components. SQM120P04-04L_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQM120P04-04L_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQM120P04-04L_GE3 Атрибуты продукта

номер части : SQM120P04-04L_GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CH 40V 120A TO-263
Серии : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 120A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 330nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 13980pF @ 20V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 375W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-263 (D2Pak)
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • 2N7000TA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • IRFR4510TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 100V 56A DPAK.

  • AUIRFR2905Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IPA65R190E6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.