Infineon Technologies - IRFB4110GPBF

KEY Part #: K6399529

IRFB4110GPBF Цены (доллары США) [20418шт сток]

  • 1 pcs$1.82450
  • 10 pcs$1.62883
  • 100 pcs$1.33563
  • 500 pcs$1.02608
  • 1,000 pcs$0.86537

номер части:
IRFB4110GPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - СКВ and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRFB4110GPBF electronic components. IRFB4110GPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB4110GPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFB4110GPBF Атрибуты продукта

номер части : IRFB4110GPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 120A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 210nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 9620pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 370W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • TN0110N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.

  • ZVP0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.

  • TN2540N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.175A TO92-3.

  • VN0300L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3.

  • TP0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3.