Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-30WQ04FNTRPBF

KEY Part #: K6444085

[2570шт сток]


    номер части:
    VS-30WQ04FNTRPBF
    производитель:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Подробное описание:
    DIODE SCHOTTKY 40V 3.5A DPAK.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - JFETs and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-30WQ04FNTRPBF electronic components. VS-30WQ04FNTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-30WQ04FNTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VS-30WQ04FNTRPBF Атрибуты продукта

    номер части : VS-30WQ04FNTRPBF
    производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Описание : DIODE SCHOTTKY 40V 3.5A DPAK
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Диодный Тип : Schottky
    Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 40V
    Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 3.5A
    Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 530mV @ 3A
    скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Обратное время восстановления (trr) : -
    Ток - обратная утечка @ Vr : 2mA @ 40V
    Емкость @ Vr, F : 189pF @ 5V, 1MHz
    Тип монтажа : Surface Mount
    Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Комплект поставки устройства : D-PAK (TO-252AA)
    Рабочая температура - соединение : -40°C ~ 150°C

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • RJU60C2SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 5A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Recovery Diode 600V TO-252 IF=8A

    • RJU60C3SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/30A/90ns Trr/TO-252

    • VS-50WQ06FNTRRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ06FNTRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ06FNTRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-30WQ10FNTRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 3.5A DPAK.