Vishay Semiconductor Diodes Division - BAS16-HE3-08

KEY Part #: K6458551

BAS16-HE3-08 Цены (доллары США) [2288266шт сток]

  • 1 pcs$0.01616
  • 3,000 pcs$0.01557
  • 6,000 pcs$0.01404
  • 15,000 pcs$0.01221
  • 30,000 pcs$0.01099
  • 75,000 pcs$0.00977
  • 150,000 pcs$0.00814

номер части:
BAS16-HE3-08
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 0.15 Amp 2.0A IFSM @ 1uS
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBT - Модули and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAS16-HE3-08 electronic components. BAS16-HE3-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS16-HE3-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS16-HE3-08 Атрибуты продукта

номер части : BAS16-HE3-08
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 75V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 150mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.25V @ 150mA
скорость : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Обратное время восстановления (trr) : 6ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 1µA @ 75V
Емкость @ Vr, F : 4pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Комплект поставки устройства : SOT-23
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • 1SS294,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SMINI. Schottky Diodes & Rectifiers SS Schottky 45Vrm 40V VR 300mA

  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS70-00-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 Volt 200mA Single AUTO

  • BAS70-00-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 Volt 200mA Single

  • BAS70-00-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 Volt 200mA Single