Vishay Siliconix - SIR632DP-T1-RE3

KEY Part #: K6419891

SIR632DP-T1-RE3 Цены (доллары США) [142207шт сток]

  • 1 pcs$0.66478
  • 10 pcs$0.58868
  • 100 pcs$0.46539
  • 500 pcs$0.34141
  • 1,000 pcs$0.26953

номер части:
SIR632DP-T1-RE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 150V 29A POWERPAKSO.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - мостовые выпрямители, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - СКВ - Модули and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIR632DP-T1-RE3 electronic components. SIR632DP-T1-RE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR632DP-T1-RE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR632DP-T1-RE3 Атрибуты продукта

номер части : SIR632DP-T1-RE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 150V 29A POWERPAKSO
Серии : ThunderFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 150V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 29A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 34.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 17nC @ 7.5V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 740pF @ 75V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 69.5W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® SO-8
Пакет / Дело : PowerPAK® SO-8

Вы также можете быть заинтересованы в