Vishay Semiconductor Diodes Division - VBT4045BP-E3/4W

KEY Part #: K6445921

VBT4045BP-E3/4W Цены (доллары США) [53136шт сток]

  • 1 pcs$0.71495
  • 10 pcs$0.64220
  • 25 pcs$0.60591
  • 100 pcs$0.51614
  • 250 pcs$0.48466
  • 500 pcs$0.42408
  • 1,000 pcs$0.33239
  • 2,500 pcs$0.30946
  • 5,000 pcs$0.30564

номер части:
VBT4045BP-E3/4W
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE SCHOTTKY 45V 40A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 40A 45V TrenchMOS
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - РФ and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VBT4045BP-E3/4W electronic components. VBT4045BP-E3/4W can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VBT4045BP-E3/4W, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VBT4045BP-E3/4W Атрибуты продукта

номер части : VBT4045BP-E3/4W
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE SCHOTTKY 45V 40A TO263AB
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 45V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 40A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 670mV @ 40A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : -
Ток - обратная утечка @ Vr : 3mA @ 45V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Комплект поставки устройства : TO-263AB
Рабочая температура - соединение : 200°C (Max)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-8EWL06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers Ultrafast 8A 600V 60ns

  • VS-6EWL06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast 6A 600V 59ns

  • VS-8EWF12STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-15EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers Hyperfast 15A 600V 22ns

  • VS-8EWS08STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VT3080S-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A,80V,TRENCH