Microsemi Corporation - JAN1N6625US

KEY Part #: K6451290

JAN1N6625US Цены (доллары США) [5495шт сток]

  • 1 pcs$7.53689
  • 100 pcs$7.49939

номер части:
JAN1N6625US
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A. Rectifiers Rectifier
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N6625US electronic components. JAN1N6625US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N6625US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N6625US Атрибуты продукта

номер части : JAN1N6625US
производитель : Microsemi Corporation
Описание : DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A
Серии : Military, MIL-PRF-19500/585
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 1100V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.75V @ 1A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 60ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 1µA @ 1100V
Емкость @ Vr, F : 10pF @ 10V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SQ-MELF, A
Комплект поставки устройства : D-5A
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • 8EWS10STRL

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • 8EWS12STRL

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.

  • 8EWS10S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • 8EWS08STRL

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK.

  • 8EWS08STR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK.

  • 8EWF10STRL

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.