Infineon Technologies - BSZ018NE2LSIATMA1

KEY Part #: K6409641

BSZ018NE2LSIATMA1 Цены (доллары США) [124569шт сток]

  • 1 pcs$0.29692

номер части:
BSZ018NE2LSIATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - СКВ, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Программируемый однопереход and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BSZ018NE2LSIATMA1 electronic components. BSZ018NE2LSIATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ018NE2LSIATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ018NE2LSIATMA1 Атрибуты продукта

номер части : BSZ018NE2LSIATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 25V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 22A (Ta), 40A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2500pF @ 12V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TSDSON-8-FL
Пакет / Дело : 8-PowerTDFN

Вы также можете быть заинтересованы в
  • FCD850N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 6A DPAK.

  • FCD5N60TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • FDD6N50TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

  • FDD10AN06A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.

  • FDD86326

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK.

  • FDD8874

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK.