Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-ETH3007THN3

KEY Part #: K6444056

VS-ETH3007THN3 Цены (доллары США) [53440шт сток]

  • 1 pcs$0.71077
  • 10 pcs$0.63969
  • 25 pcs$0.60357
  • 100 pcs$0.51430
  • 250 pcs$0.48291
  • 500 pcs$0.42254
  • 1,000 pcs$0.33118
  • 2,500 pcs$0.30834
  • 5,000 pcs$0.30454

номер части:
VS-ETH3007THN3
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 650V 30A TO220AC. Rectifiers 650V 30A FRED Pt TO-220 2L
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы специального назначения and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ETH3007THN3 electronic components. VS-ETH3007THN3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-ETH3007THN3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-ETH3007THN3 Атрибуты продукта

номер части : VS-ETH3007THN3
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 650V 30A TO220AC
Серии : Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 650V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 30A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 2.1V @ 30A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 37ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 30µA @ 650V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-220-2
Комплект поставки устройства : TO-220AC
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • RJU60C2SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Recovery Diode 600V TO-252 IF=8A

  • RJU60C3SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/30A/90ns Trr/TO-252

  • BAS16-D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3.

  • VS-50WQ06FNTRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ06FNTRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ06FNTRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.