Infineon Technologies - IRF6215STRRPBF

KEY Part #: K6419689

IRF6215STRRPBF Цены (доллары США) [125499шт сток]

  • 1 pcs$0.64806
  • 10 pcs$0.57531
  • 100 pcs$0.45473

номер части:
IRF6215STRRPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - СКВ, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - РФ and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRF6215STRRPBF electronic components. IRF6215STRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF6215STRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF6215STRRPBF Атрибуты продукта

номер части : IRF6215STRRPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 150V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 13A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 290 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 66nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 860pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D2PAK
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в