номер части :
VS-GT200TP065N
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Состояние детали :
Active
конфигурация :
Half Bridge
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) :
650V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) :
221A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic :
2.12V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.) :
60µA
Входная емкость (Cies) @ Vce :
-
Рабочая Температура :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа :
Chassis Mount
Комплект поставки устройства :
INT-A-PAK