1N4454 Цены (доллары США) [7422335шт сток]
- 1 pcs$0.00498
- 50,000 pcs$0.00465
- номер части:
- 1N4454
- производитель:
- ON Semiconductor
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/75V Io/200mA BULK
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in ON Semiconductor 1N4454 electronic components. 1N4454 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4454, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4454 Атрибуты продукта
номер части :
1N4454
производитель :
ON Semiconductor
Описание :
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
50V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
200mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1V @ 10mA
скорость :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Обратное время восстановления (trr) :
4ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
100nA @ 50V
Емкость @ Vr, F :
4pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа :
Through Hole
Пакет / Дело :
DO-204AH, DO-35, Axial
Комплект поставки устройства :
DO-35
Рабочая температура - соединение :
175°C (Max)
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Горячие части
- IDL10G65C5XUMA1
- IDK03G65C5XTMA1
- JANTXV1N1190R
- VS-150SQ030
- 1N6304R
- RGP10K-M3/54
- RK 14
- VS-80SQ030TR
- S4250TS
- CD1005-B0140R
- SUF15G-E3/54
- SS3P6-E3/85A
- CDBP0130R-G
- BY229B-400-E3/81
- FGP50D-E3/73
- S204100
- ES3A-E3/51T
- FFPF06UP20STU
- VS-90SQ035TR
- R2040
- 8ETH03
- 80EPS12
- 300HF40P
- S3G-13
- FR603-T
- HFA25PB60
- VS-95SQ015
- SF12M-TP
- CR3-060GPP BK
- APD245VRTR-G1
- MUR140-TP
- HER204-TP
- FR154-TP
- 1N4944-TP
- 1A4-AP
- GIB1404HE3/81
- CMR1U-02 BK
- RX 10ZV
- SE10PB-M3/85A
- SE07PD-M3/85A