Infineon Technologies - IPB65R045C7ATMA2

KEY Part #: K6416103

IPB65R045C7ATMA2 Цены (доллары США) [12226шт сток]

  • 1 pcs$3.37072

номер части:
IPB65R045C7ATMA2
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - ТРИАКС, Модули питания драйверов and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPB65R045C7ATMA2 electronic components. IPB65R045C7ATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB65R045C7ATMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB65R045C7ATMA2 Атрибуты продукта

номер части : IPB65R045C7ATMA2
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3
Серии : CoolMOS™ C7
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 46A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1.25mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 93nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4340pF @ 400V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 227W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO263-3
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в