Infineon Technologies - IRFR3518TRPBF

KEY Part #: K6420039

IRFR3518TRPBF Цены (доллары США) [154013шт сток]

  • 1 pcs$0.24016
  • 2,000 pcs$0.20526

номер части:
IRFR3518TRPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 80V 38A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Программируемый однопереход, Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - СКВ, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRFR3518TRPBF electronic components. IRFR3518TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR3518TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR3518TRPBF Атрибуты продукта

номер части : IRFR3518TRPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 80V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 38A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1710pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 110W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D-Pak
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в