NXP USA Inc. - PMPB12UN,115

KEY Part #: K6403129

[2465шт сток]


    номер части:
    PMPB12UN,115
    производитель:
    NXP USA Inc.
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - РФ, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Тиристоры - ТРИАКС ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in NXP USA Inc. PMPB12UN,115 electronic components. PMPB12UN,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMPB12UN,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PMPB12UN,115 Атрибуты продукта

    номер части : PMPB12UN,115
    производитель : NXP USA Inc.
    Описание : MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 7.9A (Ta)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 7.9A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 13nC @ 4.5V
    Vgs (Макс) : ±8V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 886pF @ 10V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : 6-DFN2020MD (2x2)
    Пакет / Дело : 6-UDFN Exposed Pad

    Вы также можете быть заинтересованы в