ON Semiconductor - FDB8896

KEY Part #: K6392711

FDB8896 Цены (доллары США) [108096шт сток]

  • 1 pcs$0.34217
  • 800 pcs$0.33220

номер части:
FDB8896
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - JFETs, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDB8896 electronic components. FDB8896 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB8896, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDB8896 Атрибуты продукта

номер части : FDB8896
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 19A (Ta), 93A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.7 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 67nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2525pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 80W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-263AB
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в